Halbleiter Bauelemente-Simulation:
Mit Silvacos VIRTUAL WAFER FAB sind wir in der Lage folgendes zu simulieren:
- MOSFET-
- MESFET-
- HBT-
- HEMT-
Bauelemente mit modernen Materialien (SiGe, GaAs, GaN oder andere ternäre und quaternäre Materialien). Eine direkte Auswirkung von Schicht-, Rezess- oder anderen Modifikationen auf das Bauelementverhalten kann somit leicht sichtbar gemacht
Simulation Eingabe:
Detaillierte Bauelementestruktur einschließlich (Rezess-)Abmessungen, Schichtstruktur und Dotierungsprofil.
Simulation Ausgabe:
– Transfer-/Ausgangs-Kennlinien
– 2D-Fehlfarbenplots, z.B.:
oder E-Feld, Löcherkonzentration, Potential von verschiedenen Arbeitspunkten.
Weitere Auswertungen:
- Schnittlinien (z. B. Bandparameter).
- DC-Analyse (z. B. Schwellenspannung, Transkonduktanz, Unterschwellenspannung).
- AC-Analyse (z.B. ft, fmax, S-Parameter).
- Transienten-Analyse
Verfügbare Modelle:
Für all diese Materialien sind (unter anderem) zahlreiche Modelle erhältlich, z. B:
- Fermi-Dirac- und Boltzmann-Statistik
- Drift-Diffusions-Transportmodelle
- Energiebilanz-Transportmodelle (Geschwindigkeitsüberschwinger werden berücksichtigt)
- Feld- und dotierungsabhängige Beweglichkeit
- Abgestufte und abrupte Heteroübergänge
- Bandlückenverengung und Hochdotierungseffekte
- Shockley-Read-Hall, Auger- und Oberflächenrekombination
- Effekte durch heiße Ladungsträger
Detaillierte Informationen über die Simulation von SiGe-Hetero-FET-Bauelementen finden Sie in unserer Solid State Technology-Veröffentlichung „New approaches to a simulation-assisted design and process development“ (Vol. 40, Issue 3)
